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元件参数资料
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参数目录50205
> PMR290XN,115 MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416
型号:
PMR290XN,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PMR290XN,115 PDF
标准包装
1
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
970mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
350 毫欧 @ 200mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.72nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
34pF @ 20V
功率 - 最大
530mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-75,SOT-416
供应商设备封装
SC-75
包装
标准包装
其它名称
568-7437-6
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